تعتبر تقنية الاغشية الرقيقة لأوكسيد الزنك من التقنيات الرائدة في العديد من الصناعات المتقدمة، وذلك ما تظهره من كفاءة

عالية في صناعة الاجهزة الكهربائية والالكترونية، وتتميز خصائصها الفيزيائية بفاعلية عالية. ودراسة تأثير درجات الحرارة

على التركيب البلوري للأغشية الرقيقة يعتمد على تقنية التحضير، في هذه الدراسة قد اعتمدت طريقة الترسيب باستخدام

الغمر. واظهر الكشف بالأشعة السينية بأن غشاء أوكسيد الزنك النقي ذي التركيب السداسي المتراص، وعند قياس الحجم

البلوري لأغشية اوكسيد الزنك وجد انه يساوي قيم مختلفة للأطياف بسبب المعالجة الحرارية عند ℃ 80وذلك بسبب ظهور

شبكة على سطح الغشاء، وهذا النوع من التشكيل للأغشية يعطي جودة عالية. واظهر الكشف بالمجهر الالكتروني الى ظهور

عيوب في مادة الاغشية، التي لها تأثير على الخصائص الفيزيائية والكيميائية على الاغشية المرسبة. وأظهرت القياسات ان

متوسط سمك الاغشية المرسبة كان ما بين 14.26) μmو ،(18.68عند درجاتي حرارة ( ℃ .) 80℃, 70وكانت النتائج

في اتفاق جيد مع النتائج المنشورة.

للثنائيات المعدنية القلوية اهمية تكنولوجية كبيرة في المجالات الصناعية، واقترحت هال الثنائيات المعدنية القلوية

المتشابهة للدراسة نظرا للتشابه في خصائصها وتطبيقاتها العملية، وذلك استنادا لتركيبها المجهري، ا وعتبر نظام الثنائيات

المعدنية نظام عدد من الجسيمات. استخدمت لهال الدراسة نظرية دالة الكثافة)𝑇𝐷𝐹(، وذلك باستخدام التقريب

الموضعي للكثافة )𝐿𝐷𝐴( ومشروع التوليد لوجنز )𝑊(. واقترح نموذج نظري لتمثيل الكثافة الإلكترونية وكالك معادلة

بوزون، وتحصلنا بطريقة تحليلية على علاقات الطاقة والكثافة الالكترونية. ولقد وجد ان قيم المتغيرات في النموذج

النظري تعتمد على الكثافة الإلكترونية ودالة الشغل للثنائي المعدني. ولقد حقق هاا النموذج خصائم النظام وجهد

صورة الشحنة عند المسافات البعيدة. ووجد اثارة في توزيع الكثافة الإلكترونية عند منطقة اتصال الثنائي الناتجة عن

التسرب الكمي الالكتروني.